BUZ31L INFINEON


BUZ31L.pdf
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUZ31L INFINEON

Description: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції BUZ31L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUZ31L BUZ31L Infineon Technologies BUZ31L.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31L BUZ31L Infineon Technologies Infineon-BUZ31LH-DS-v02_04-en-522762.pdf MOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31L BUZ31L.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31L Infineon-BUZ31LH-DS-v02_04-en-522762.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.