Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BUZ32HXKSA1
BUZ32HXKSA1

BUZ32HXKSA1 Infineon Technologies

INFNS13620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 7393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
507+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUZ32HXKSA1 Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції BUZ32HXKSA1 за ціною від 23.41 грн до 44.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUZ32HXKSA1 Infineon Technologies INFNS13620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.40 грн
21+36.83 грн
25+31.20 грн
50+27.55 грн
100+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ32HXKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS INFNS13620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ32HXKSA1 - BUZ32 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9.
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 488 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ32HXKSA1 INFNS13620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+44.40 грн
21+36.83 грн
25+31.20 грн
50+27.55 грн
100+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ32HXKSA1 INFNS13620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ32HXKSA1 - BUZ32 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9.
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 488 шт
В кошику  од. на суму  грн.