Технічний опис BUZ80A INFINEON
Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BUZ80A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BUZ80A | Виробник : INFINEON |
 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BUZ80A Код товару: 29415 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 800 V Idd,A: 3,8 A Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1100/70 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|
 |
BUZ80A | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| BUZ80A | Виробник : Infineon Technologies |
Infineon |
товар відсутній |
||
 |
BUZ80A | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET |
товар відсутній |