Технічний опис BUZ900 SML
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ900 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-3, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 160, Dauer-Drainstrom Id: 8, Rds(on)-Messspannung Vgs: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 125, Bauform - Transistor: TO-3, Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 1.5, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції BUZ900
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BUZ900 | ---- | N–CHANNEL POWER MOSFET TO-3 Транзистори |
товару немає в наявності |
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| BUZ900 | Semelab / TT Electronics |
 MOSFETs |
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 |
BUZ900 | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ900 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-3, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 160 Dauer-Drainstrom Id: 8 Rds(on)-Messspannung Vgs: - MSL: - Verlustleistung Pd: 125 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
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| BUZ900 |
Виробник: ----
N–CHANNEL POWER MOSFET TO-3 Транзистори
N–CHANNEL POWER MOSFET TO-3 Транзистори
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| BUZ900 |
|
Виробник: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ900 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ900 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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