Продукція > ONSEMI > BVSS123LT1G
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G onsemi

BSS123LT1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.00 грн
6000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BVSS123LT1G onsemi

Description: ONSEMI - BVSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm.

Інші пропозиції BVSS123LT1G за ціною від 6.59 грн до 34.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BVSS123LT1G BVSS123LT1G ONSEMI BSS123LT1-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.59 грн
21+20.73 грн
25+17.73 грн
100+10.19 грн
500+7.37 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G BVSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.42 грн
18+18.11 грн
50+13.06 грн
100+10.71 грн
500+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G BVSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF MOSFETs NFET 100V 170MA 6OH
на замовлення 20801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G BVSS123LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013903253-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BVSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G BVSS123LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013903253-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BVSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G ON Semiconductor BSS123LT1-D.PDF Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.42 грн
35+22.04 грн
36+21.34 грн
100+11.64 грн
250+10.68 грн
500+6.76 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BVSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.59 грн
21+20.73 грн
25+17.73 грн
100+10.19 грн
500+7.37 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BVSS123LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.42 грн
18+18.11 грн
50+13.06 грн
100+10.71 грн
500+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BVSS123LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET 100V 170MA 6OH
на замовлення 20801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G ONSM-S-A0013903253-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BVSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BVSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G ONSM-S-A0013903253-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BVSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BVSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+34.42 грн
35+22.04 грн
36+21.34 грн
100+11.64 грн
250+10.68 грн
500+6.76 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.