Продукція > ONSEMI > BVSS138LT1G
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G onsemi

BSS138LT1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.16 грн
6000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BVSS138LT1G onsemi

Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm.

Інші пропозиції BVSS138LT1G за ціною від 3.99 грн до 25.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI BSS138LT1-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.54 грн
29+14.59 грн
33+12.69 грн
100+7.43 грн
500+4.83 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BVSS138LT1G onsemi BSS138LT1-D.PDF Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
24+12.61 грн
100+7.87 грн
500+5.45 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI ONSM-S-A0011027454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 14975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.39 грн
53+15.43 грн
100+10.29 грн
500+7.07 грн
1000+5.74 грн
5000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BVSS138LT1G onsemi BSS138LT1-D.PDF MOSFETs NFET 50V 200MA 3.5O
на замовлення 458546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.55 грн
23+14.02 грн
100+8.75 грн
500+6.54 грн
1000+5.65 грн
3000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G ONN BSS138LT1-D.PDF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
BVSS138LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
22+20.54 грн
29+14.59 грн
33+12.69 грн
100+7.43 грн
500+4.83 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
BVSS138LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+20.92 грн
24+12.61 грн
100+7.87 грн
500+5.45 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G ONSM-S-A0011027454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BVSS138LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 14975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
32+25.39 грн
53+15.43 грн
100+10.29 грн
500+7.07 грн
1000+5.74 грн
5000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
BVSS138LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET 50V 200MA 3.5O
на замовлення 458546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.55 грн
23+14.02 грн
100+8.75 грн
500+6.54 грн
1000+5.65 грн
3000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
Виробник: ONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.