Продукція > ONSEMI > BVSS138LT1G
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G onsemi

BSS138LT1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.30 грн
6000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BVSS138LT1G onsemi

Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm.

Інші пропозиції BVSS138LT1G за ціною від 1.88 грн до 22.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI BSS138LT1-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 50V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.73 грн
29+14.73 грн
33+12.80 грн
100+7.50 грн
500+4.88 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BVSS138LT1G onsemi BSS138LT1-D.PDF Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.90 грн
24+13.03 грн
100+8.13 грн
500+5.63 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BVSS138LT1G onsemi BSS138LT1-D.PDF MOSFETs NFET 50V 200MA 3.5O
на замовлення 1572809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI ONSM-S-A0011027454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 14255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI ONSM-S-A0011027454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G ON Semiconductor BSS138LT1-D.PDF Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G ON Semiconductor BSS138LT1-D.PDF Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.67 грн
6000+4.20 грн
9000+3.97 грн
30000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G ON Semiconductor BSS138LT1-D.PDF Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.83 грн
45+16.89 грн
100+8.67 грн
250+7.56 грн
500+7.22 грн
1000+5.40 грн
3000+4.17 грн
6000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G ONN BSS138LT1-D.PDF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
BVSS138LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 50V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.73 грн
29+14.73 грн
33+12.80 грн
100+7.50 грн
500+4.88 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
BVSS138LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.90 грн
24+13.03 грн
100+8.13 грн
500+5.63 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
BVSS138LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET 50V 200MA 3.5O
на замовлення 1572809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G ONSM-S-A0011027454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BVSS138LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 14255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G ONSM-S-A0011027454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BVSS138LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.67 грн
6000+4.20 грн
9000+3.97 грн
30000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+22.83 грн
45+16.89 грн
100+8.67 грн
250+7.56 грн
500+7.22 грн
1000+5.40 грн
3000+4.17 грн
6000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
Виробник: ONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.