BVSS84LT1G
Код товару: 205838
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BVSS84LT1G за ціною від 4.40 грн до 34.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BVSS84LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1777520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1777520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 90827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | On Semiconductor |
MOSFET P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори |
на замовлення 9 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | onsemi |
MOSFETs PFET 50V 130MA 10.0 |
на замовлення 54221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BVSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm |
на замовлення 66002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BVSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 45829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.13 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.43 грн |
| 6000+ | 4.72 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.94 грн |
| 6000+ | 5.88 грн |
| 9000+ | 5.83 грн |
| 15000+ | 5.55 грн |
| 21000+ | 5.09 грн |
| 24000+ | 4.84 грн |
| 30000+ | 4.83 грн |
| 75000+ | 4.40 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.49 грн |
| 6000+ | 6.43 грн |
| 9000+ | 6.37 грн |
| 15000+ | 6.08 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.86 грн |
| 6000+ | 7.58 грн |
| 9000+ | 7.46 грн |
| 12000+ | 7.05 грн |
| 27000+ | 6.34 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1777520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1187+ | 11.84 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1777520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 15.43 грн |
| 50+ | 15.27 грн |
| 100+ | 8.83 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 651+ | 21.59 грн |
| 654+ | 21.50 грн |
| 656+ | 21.42 грн |
| 1000+ | 20.57 грн |
| 3000+ | 18.97 грн |
| 6000+ | 18.14 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 25.72 грн |
| 23+ | 18.45 грн |
| 26+ | 15.90 грн |
| 50+ | 11.04 грн |
| 100+ | 9.47 грн |
| 500+ | 6.92 грн |
| 1000+ | 6.18 грн |
| 1500+ | 5.77 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 26.62 грн |
| 42+ | 17.99 грн |
| 100+ | 16.99 грн |
| 250+ | 15.40 грн |
| 500+ | 14.45 грн |
| 1000+ | 14.13 грн |
| 3000+ | 13.81 грн |
| 6000+ | 13.49 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.94 грн |
| 19+ | 16.01 грн |
| 100+ | 10.09 грн |
| 500+ | 7.04 грн |
| 1000+ | 6.25 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
MOSFET P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори
MOSFET P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 9 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.66 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET 50V 130MA 10.0
MOSFETs PFET 50V 130MA 10.0
на замовлення 54221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BVSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
Description: ONSEMI - BVSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
на замовлення 66002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BVSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BVSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 1N4148W Код товару: 176823
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JINGDAO
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-123
Uзвор., В: 75 В
Iвипр., А: 0,15 А
Опис: Імпульсний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-123
Uзвор., В: 75 В
Iвипр., А: 0,15 А
Опис: Імпульсний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 В
товару немає в наявності
очікується: 150 шт
- 150 шт - очікується 15.07.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 23+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| TPL5110DDCT Код товару: 135631
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Мікросхеми > Таймери
Корпус: SOT-23-6
Опис: Таймер з наднизьким енергоспоживанням
Темп. діапазон: -40...+105°С
Корпус: SOT-23-6
Опис: Таймер з наднизьким енергоспоживанням
Темп. діапазон: -40...+105°С
у наявності: 84 шт
- 84 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 39.00 грн |
| 10+ | 34.70 грн |
| Щуп-пінцет до мультиметра для вимірювання параметрів SMD компонентів Код товару: 117304
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
Інструмент та прилади > Аксесуари до інструменту та обладнання
Тип: Щупи під мультиметр
Опис: Щуп-пінцет до мультиметра для вимірювання параметрів SMD компонентів. Максимальна напруга: 250V. Максимальне розкриття: 13мм.
Тип: Щупи під мультиметр
Опис: Щуп-пінцет до мультиметра для вимірювання параметрів SMD компонентів. Максимальна напруга: 250V. Максимальне розкриття: 13мм.
у наявності: 166 шт
- 159 шт - склад
- 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 95.00 грн |
| 10+ | 85.70 грн |
| 100+ | 76.20 грн |
| Датчик освітленості для Arduino (BH1750) Код товару: 110012
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Arduino
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Датчик освітленості, вбудований сенсор та цифровий перетворювач. Цифровий вихід, нечутливий до фонового світла. Спектральна характеристика близька до візуальної чутливості. Для широкого діапазону, точність вимірювання — 1 люкс. Напруга живлення: 3...5В. Діапазон даних: 0...65535 Lux, інтерфейс I2C.
Категорія: Модуль-датчик
Призначення: Датчик освітленості
3...5 В
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Датчик освітленості, вбудований сенсор та цифровий перетворювач. Цифровий вихід, нечутливий до фонового світла. Спектральна характеристика близька до візуальної чутливості. Для широкого діапазону, точність вимірювання — 1 люкс. Напруга живлення: 3...5В. Діапазон даних: 0...65535 Lux, інтерфейс I2C.
Категорія: Модуль-датчик
Призначення: Датчик освітленості
3...5 В
у наявності: 26 шт
- 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 59.00 грн |
| 10+ | 53.20 грн |
| 3224W-1-503E Код товару: 12815
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Bourns
Підстроювальні резистори > SMD
Номінал: 50 кОм
Габарити: 5,1x4,8x3,9 мм
5,1x4,8x3,9 мм
Опис: Підстроювальний SMD, регулювання зверху
Підстроювальні резистори > SMD
Номінал: 50 кОм
Габарити: 5,1x4,8x3,9 мм
5,1x4,8x3,9 мм
Опис: Підстроювальний SMD, регулювання зверху
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.












