
BVSS84LT1G ON Semiconductor
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BVSS84LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BVSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BVSS84LT1G за ціною від 3.55 грн до 30.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1777520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 18364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1777520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BVSS84LT1G Код товару: 205838
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 114316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3152 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 47139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 17497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BVSS84LT1G | Виробник : On Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
BVSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |