Інші пропозиції BXT330N06D за ціною від 6.42 грн до 22.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BXT330N06D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 27.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| BXT330N06D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 22.46 грн |
| 26+ | 16.10 грн |
| 33+ | 12.85 грн |
| 100+ | 11.51 грн |
| 140+ | 6.84 грн |
| 384+ | 6.42 грн |



