Технічний опис BY203-12STAP NXP
Description: DIODE AVAL 1.2KV 250MA SOD57, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: SOD-57, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Technology: Avalanche, Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: SOD-57, Axial, Packaging: Tape & Box (TB).
Інші пропозиції BY203-12STAP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BY203-12STAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE AVAL 1.2KV 250MA SOD57Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-57 Current - Average Rectified (Io): 250mA Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: SOD-57, Axial Packaging: Tape & Box (TB) |
товару немає в наявності |
|
 |
BY203-12STAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1200 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM |
товару немає в наявності |