Продукція > WEEN > BYC30-1200PQ

BYC30-1200PQ Ween


byc30-1200p.pdf Виробник: Ween
Hyper fast power diode
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYC30-1200PQ Ween

Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 270A; SOD59,TO220AC, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 30A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: ultrafast switching, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 270A, Case: SOD59; TO220AC, Max. forward voltage: 3.3V, Reverse recovery time: 65ns, Heatsink thickness: 1.14...1.4mm, кількість в упаковці: 5000 шт.

Інші пропозиції BYC30-1200PQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYC30-1200PQ BYC30-1200PQ Виробник : WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAADF2D20392F4C0C7&compId=byc30-1200p.pdf?ci_sign=6cf45d4e74957f83523163a61a28df2ae45d9545 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 270A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 270A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 3.3V
Reverse recovery time: 65ns
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-1200PQ BYC30-1200PQ Виробник : WeEn Semiconductors byc30-1200p.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-1200PQ BYC30-1200PQ Виробник : WeEn Semiconductors WEEN_S_A0008920164_1-2576098.pdf Rectifiers BYC30-1200PQ/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-1200PQ BYC30-1200PQ Виробник : WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAADF2D20392F4C0C7&compId=byc30-1200p.pdf?ci_sign=6cf45d4e74957f83523163a61a28df2ae45d9545 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 270A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 270A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 3.3V
Reverse recovery time: 65ns
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.