BYC80MW-650PT2Q WeEn Semiconductors

Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 80A; tube; Ifsm: 600A; TO247-2; 120ns
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Mounting: THT
Case: TO247-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 160A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 80A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 120ns
Max. forward impulse current: 0.6kA
кількість в упаковці: 600 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYC80MW-650PT2Q WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 80A; tube; Ifsm: 600A; TO247-2; 120ns, Kind of package: tube, Type of diode: rectifying, Features of semiconductor devices: ultrafast switching, Mounting: THT, Case: TO247-2, Max. off-state voltage: 650V, Max. load current: 160A, Max. forward voltage: 1.9V, Load current: 80A, Semiconductor structure: single diode, Reverse recovery time: 120ns, Max. forward impulse current: 0.6kA, кількість в упаковці: 600 шт.
Інші пропозиції BYC80MW-650PT2Q
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYC80MW-650PT2Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
BYC80MW-650PT2Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 80A; tube; Ifsm: 600A; TO247-2; 120ns Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Mounting: THT Case: TO247-2 Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 160A Max. forward voltage: 1.9V Load current: 80A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 120ns Max. forward impulse current: 0.6kA |
товару немає в наявності |