BYC80MW-650PT2Q WeEn Semiconductors

Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 80A; tube; Ifsm: 600A; TO247-2; 120ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 80A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.6kA
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.9V
Reverse recovery time: 120ns
Max. load current: 160A
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 600 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYC80MW-650PT2Q WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 80A; tube; Ifsm: 600A; TO247-2; 120ns, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 80A, Semiconductor structure: single diode, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 0.6kA, Case: TO247-2, Max. forward voltage: 1.9V, Reverse recovery time: 120ns, Max. load current: 160A, Features of semiconductor devices: ultrafast switching, кількість в упаковці: 600 шт.
Інші пропозиції BYC80MW-650PT2Q
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYC80MW-650PT2Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
BYC80MW-650PT2Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 80A; tube; Ifsm: 600A; TO247-2; 120ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 80A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 0.6kA Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.9V Reverse recovery time: 120ns Max. load current: 160A Features of semiconductor devices: ultrafast switching |
товару немає в наявності |