BYG10D-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 7.00 грн |
| 3600+ | 6.27 грн |
| 5400+ | 6.17 грн |
| 9000+ | 5.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10D-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BYG10, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BYG10D-E3/TR за ціною від 5.26 грн до 26.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYG10D-E3/TR | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYG10D-E3/TR | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.5 Amp 200 Volt |
на замовлення 10036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 11890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
товару немає в наявності |