BYG10D-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 6.83 грн |
| 3600+ | 6.13 грн |
| 5400+ | 6.03 грн |
| 9000+ | 5.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10D-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BYG10, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BYG10D-E3/TR за ціною від 6.52 грн до 55.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BYG10D-E3/TR | Vishay |
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYG10D-E3/TR | Vishay |
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYG10D-E3/TR | Vishay |
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYG10D-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 200V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Case: DO214AC; SMA Mounting: SMD Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: 7 inch reel Reverse recovery time: 4µs Manufacturer standard package: 1800pcs. |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYG10D-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 11890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYG10D-E3/TR | Vishay |
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYG10D-E3/TR | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1.5 Amp 200 Volt |
на замовлення 9597 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYG10D-E3/TR | VISHAY |
Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BYG10D-E3/TR | VISHAY |
Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BYG10D-E3/TR |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 9.06 грн |
| 3600+ | 7.45 грн |
| 23400+ | 7.38 грн |
| BYG10D-E3/TR |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 9.10 грн |
| 3600+ | 7.49 грн |
| 23400+ | 7.40 грн |
| BYG10D-E3/TR |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1440+ | 9.89 грн |
| 1729+ | 8.24 грн |
| 1747+ | 8.15 грн |
| 1786+ | 7.69 грн |
| 1828+ | 6.96 грн |
| BYG10D-E3/TR |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: 7 inch reel
Reverse recovery time: 4µs
Manufacturer standard package: 1800pcs.
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: 7 inch reel
Reverse recovery time: 4µs
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 22.22 грн |
| 29+ | 14.52 грн |
| 38+ | 10.98 грн |
| BYG10D-E3/TR |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 11890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 23.91 грн |
| 21+ | 14.48 грн |
| 100+ | 10.34 грн |
| 500+ | 8.96 грн |
| BYG10D-E3/TR |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 26.77 грн |
| 43+ | 17.66 грн |
| 100+ | 14.19 грн |
| 250+ | 13.01 грн |
| 500+ | 11.31 грн |
| 1000+ | 6.52 грн |
| BYG10D-E3/TR |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1.5 Amp 200 Volt
Rectifiers 1.5 Amp 200 Volt
на замовлення 9597 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.80 грн |
| 13+ | 24.73 грн |
| 100+ | 18.94 грн |
| 500+ | 14.41 грн |
| 1000+ | 11.92 грн |
| 1800+ | 11.85 грн |
| 3600+ | 10.17 грн |
| BYG10D-E3/TR |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 4µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BYG10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 4µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BYG10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BYG10D-E3/TR |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 4µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BYG10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 4µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BYG10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






