
BYG10J-AQ Diotec Semiconductor
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7500+ | 4.60 грн |
15000+ | 4.24 грн |
30000+ | 4.02 грн |
52500+ | 3.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10J-AQ Diotec Semiconductor
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 1.5A, Reverse recovery time: 1.5µs, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect, Case: SMA, Max. forward voltage: 1.15V, Max. forward impulse current: 27A, Leakage current: 50µA, Kind of package: reel; tape, Application: automotive industry, Max. load current: 5A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BYG10J-AQ за ціною від 3.40 грн до 27.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYG10J-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 1.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Max. load current: 5A |
на замовлення 7040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG10J-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG10J-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 1.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Max. load current: 5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG10J-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 7480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG10J-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BYG10J-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10J-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BYG10J-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |