BYG10J-E3/TR Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.95 грн |
| 28+ | 11.70 грн |
| 100+ | 9.13 грн |
| 500+ | 7.59 грн |
| 1000+ | 6.83 грн |
| 1800+ | 6.62 грн |
| 3600+ | 5.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10J-E3/TR Vishay General Semiconductor
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції BYG10J-E3/TR за ціною від 8.13 грн до 24.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYG10J-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|