Технічний опис BYG10J-E3/TR3 Vishay
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції BYG10J-E3/TR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BYG10J-E3/TR3 | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
BYG10J-E3/TR3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BYG10J-E3/TR3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|
 |
BYG10J-E3/TR3 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt |
товару немає в наявності |