BYG10KHE3_A/I Vishay General Semiconductor
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.80 грн |
| 11+ | 32.07 грн |
| 100+ | 18.89 грн |
| 500+ | 13.64 грн |
| 1000+ | 11.58 грн |
| 2500+ | 10.51 грн |
| 5000+ | 8.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10KHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BYG10KHE3_A/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BYG10KHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |