Продукція > VISHAY > BYG10M-E3/TR
BYG10M-E3/TR

BYG10M-E3/TR Vishay

byg10.pdf Виробник: Vishay
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R
на замовлення 63600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG10M-E3/TR Vishay

Description: VISHAY - BYG10M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції BYG10M-E3/TR за ціною від 5.06 грн до 22.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 59400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : Vishay byg10.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+6.53 грн
3600+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : Vishay byg10.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+7.08 грн
3600+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : Vishay byg10.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1329+9.16 грн
1400+8.70 грн
1477+8.24 грн
1565+7.50 грн
1663+6.53 грн
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 1329
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : Vishay byg10.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+9.36 грн
68+8.93 грн
71+8.51 грн
100+7.79 грн
250+6.84 грн
500+6.19 грн
1000+5.83 грн
3000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : VISHAY VISH-S-A0010341383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BYG10M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 4µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 31665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.62 грн
500+11.11 грн
1000+9.77 грн
5000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : VISHAY byg10.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+18.72 грн
36+10.58 грн
100+8.09 грн
148+6.05 грн
407+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 60237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.41 грн
23+13.15 грн
100+9.31 грн
500+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : Vishay General Semiconductor byg10.pdf Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
на замовлення 24359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.25 грн
24+14.10 грн
100+7.69 грн
1000+6.10 грн
1800+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : VISHAY VISH-S-A0010341383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BYG10M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 4µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 31665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+21.82 грн
62+13.19 грн
100+12.62 грн
500+11.11 грн
1000+9.77 грн
5000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : VISHAY byg10.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.47 грн
22+13.19 грн
100+9.71 грн
148+7.26 грн
407+6.80 грн
3600+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : Vishay byg10.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR Виробник : Vishay byg10.pdf 1,5A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; BYG10M-E3/TR VISHAY DP BYG10M-E3/TR VISHAY
кількість в упаковці: 1800 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Виробник : Vishay byg10.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.