BYG10M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 5.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - BYG10M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції BYG10M-E3/TR за ціною від 5.09 грн до 34.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BYG10M-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
на замовлення 53024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BYG10M-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt |
на замовлення 13324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BYG10M-E3/TR | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG10M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 14697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BYG10M-E3/TR | Виробник : Vishay |
1,5A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; BYG10M-E3/TR VISHAY DP BYG10M-E3/TR VISHAY кількість в упаковці: 1800 шт |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|