Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYG10M-E3/TR3
BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byg10.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Technology: Avalanche, Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BYG10M-E3/TR3 за ціною від 7.04 грн до 36.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.64 грн
100+13.12 грн
500+9.25 грн
1000+8.26 грн
2000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor byg10.pdf Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
на замовлення 9395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.00 грн
15+21.99 грн
100+12.15 грн
500+9.11 грн
1000+7.39 грн
2500+7.32 грн
5000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10M-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.95 грн
15+20.64 грн
100+13.12 грн
500+9.25 грн
1000+8.26 грн
2000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10M-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
на замовлення 9395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.00 грн
15+21.99 грн
100+12.15 грн
500+9.11 грн
1000+7.39 грн
2500+7.32 грн
5000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.