Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYG10M-E3/TR3
BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byg10.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції BYG10M-E3/TR3 за ціною від 6.73 грн до 29.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Виробник : Vishay General Semiconductor byg10.pdf Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+29.38 грн
18+20.17 грн
100+11.72 грн
500+9.75 грн
1000+8.09 грн
2500+8.02 грн
5000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.45 грн
17+19.38 грн
100+11.44 грн
500+9.35 грн
1000+8.35 грн
2000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Виробник : Vishay byg10.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Виробник : Vishay byg10.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 Виробник : VISHAY byg10.pdf BYG10M-E3/TR3 SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.