Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYG10M-E3/TR3
BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byg10.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції BYG10M-E3/TR3 за ціною від 7.79 грн до 39.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.17 грн
15+21.96 грн
100+13.95 грн
500+9.84 грн
1000+8.79 грн
2000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Виробник : Vishay General Semiconductor byg10.pdf Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
на замовлення 9395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.83 грн
15+24.33 грн
100+13.44 грн
500+10.08 грн
1000+8.17 грн
2500+8.09 грн
5000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Виробник : Vishay byg10.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Виробник : Vishay byg10.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3\TR3 BYG10M-E3\TR3 Виробник : Vishay Semiconductors Rectifiers 1.5A,1000V,STD,AVALANCHE,SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Виробник : VISHAY byg10.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 7500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.