Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYG10M-E3/TR3
BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byg10.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 7500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції BYG10M-E3/TR3 за ціною від 7.38 грн до 55.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.71 грн
15+20.50 грн
100+13.03 грн
500+9.19 грн
1000+8.21 грн
2000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Vishay Semiconductors byg10.pdf Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+55.80 грн
13+24.73 грн
100+18.94 грн
500+14.41 грн
2500+14.33 грн
5000+9.87 грн
7500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10M-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.71 грн
15+20.50 грн
100+13.03 грн
500+9.19 грн
1000+8.21 грн
2000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10M-E3/TR3
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.80 грн
13+24.73 грн
100+18.94 грн
500+14.41 грн
2500+14.33 грн
5000+9.87 грн
7500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.