BYG10MHE3_A/I Vishay General Semiconductor
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.58 грн |
| 12+ | 31.73 грн |
| 100+ | 18.62 грн |
| 500+ | 13.45 грн |
| 1000+ | 11.48 грн |
| 2500+ | 10.41 грн |
| 5000+ | 8.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10MHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BYG10MHE3_A/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BYG10MHE3_A/I | Виробник : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
BYG10MHE3_A/I | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
 |
BYG10MHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |