BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.34 грн |
| 15+ | 22.43 грн |
| 100+ | 16.23 грн |
| 500+ | 12.33 грн |
| 1000+ | 9.61 грн |
| 5000+ | 9.27 грн |
| 7500+ | 7.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Technology: Avalanche, Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції BYG10YHE3_A/I за ціною від 10.01 грн до 31.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYG10YHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|