
BYG20GHE3_A/I Vishay General Semiconductor
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 40.67 грн |
11+ | 31.31 грн |
100+ | 16.37 грн |
500+ | 15.19 грн |
1000+ | 12.18 грн |
7500+ | 7.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG20GHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BYG20GHE3_A/I
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYG20GHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BYG20GHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |