Технічний опис BYG21M R3G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції BYG21M R3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BYG21M R3G | Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BYG21M R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



