Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYG21M-M3/TR
BYG21M-M3/TR

BYG21M-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byg21k.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+8.10 грн
3600+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG21M-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Technology: Avalanche.

Інші пропозиції BYG21M-M3/TR за ціною від 10.13 грн до 29.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYG21M-M3/TR BYG21M-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg21k.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.48 грн
14+21.87 грн
100+17.31 грн
500+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21M-M3/TR BYG21M-M3/TR Vishay General Semiconductor byg21k.pdf Rectifiers 1.5A,1000V,120nS Fast Avalanche,SMD
на замовлення 9558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.62 грн
14+23.45 грн
100+16.17 грн
500+12.24 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21M-M3/TR byg21k.pdf
BYG21M-M3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.48 грн
14+21.87 грн
100+17.31 грн
500+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21M-M3/TR byg21k.pdf
BYG21M-M3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.5A,1000V,120nS Fast Avalanche,SMD
на замовлення 9558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.62 грн
14+23.45 грн
100+16.17 грн
500+12.24 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.