
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7500+ | 5.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG21M Taiwan Semiconductor
Description: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції BYG21M за ціною від 4.23 грн до 33.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYG21M | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG21M | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 120ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 13pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG21M | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 120ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 13pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG21M | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
на замовлення 9586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG21M | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BYG21M | Виробник : LGE |
![]() кількість в упаковці: 1800 шт |
на замовлення 176 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG21M | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BYG21M | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
BYG21M | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BYG21M | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |