BYG21MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 11.36 грн |
| 3600+ | 10.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG21MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BYG21MHE3_A/H за ціною від 7.35 грн до 42.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYG21MHE3_A/H | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BYG21MHE3_A/H | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BYG21MHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BYG21MHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.5A,1000V,120NS AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BYG21MHE3_A/H | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.6V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 120ns Semiconductor structure: single diode Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 30A Max. load current: 1.5A Leakage current: 1µA Application: automotive industry |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
BYG21MHE3_A/H | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BYG21MHE3_A/H | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BYG21MHE3_A/H | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |