Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYG21MHE3_A/H
BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byg21k.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+7.35 грн
3600+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG21MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BYG21MHE3_A/H за ціною від 11.44 грн до 36.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BYG21MHE3_A/H BYG21MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg21k.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.95 грн
14+22.76 грн
100+16.09 грн
500+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21MHE3_A/H BYG21MHE3_A/H Vishay Semiconductors byg21k.pdf Rectifiers 1.5A,1000V,120NS AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21MHE3_A/H byg21k.pdf
BYG21MHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.95 грн
14+22.76 грн
100+16.09 грн
500+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21MHE3_A/H byg21k.pdf
BYG21MHE3_A/H
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1.5A,1000V,120NS AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.