
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1800+ | 4.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG22B-E3/TR Vishay
Description: VISHAY - BYG22B-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 25 ns, 35 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 35A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BYG22B-E3/TR за ціною від 4.97 грн до 42.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
на замовлення 41400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Mounting: SMD Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 35A Kind of package: 7 inch reel Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 1800pcs. |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Mounting: SMD Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 35A Kind of package: 7 inch reel Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 1800pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG22B-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
на замовлення 44182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR Код товару: 162079
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|