BYG22BHE3_A/I

BYG22BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


byg22a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG22BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 2A, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Technology: Avalanche, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BYG22BHE3_A/I

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYG22BHE3_A/I BYG22BHE3_A/I Vishay General Semiconductor byg22a.pdf Rectifiers 2.0A,100V,25NS, AVAL AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22BHE3_A/I byg22a.pdf
BYG22BHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 2.0A,100V,25NS, AVAL AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.