BYG23M-M3/TR Vishay General Semiconductor
на замовлення 10765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 47.81 грн |
13+ | 28.87 грн |
100+ | 16.41 грн |
500+ | 12.17 грн |
1000+ | 10.36 грн |
1800+ | 8.77 грн |
3600+ | 8.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG23M-M3/TR Vishay General Semiconductor
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 1.5A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated, Case: DO214AC; SMA, Kind of package: 7 inch reel, Leakage current: 50µA, Max. forward voltage: 1.35V, Reverse recovery time: 75ns, Max. forward impulse current: 30A, Quantity in set/package: 1800pcs..
Інші пропозиції BYG23M-M3/TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYG23M-M3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BYG23M-M3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BYG23M-M3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|
|
BYG23M-M3\TR | Виробник : Vishay | Rectifiers 1.5A,1000V,75NS,FAST Avalanche,SMD |
товару немає в наявності |
|
BYG23M-M3/TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Kind of package: 7 inch reel Leakage current: 50µA Max. forward voltage: 1.35V Reverse recovery time: 75ns Max. forward impulse current: 30A Quantity in set/package: 1800pcs. |
товару немає в наявності |