Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYG23MHE3_A/H
BYG23MHE3_A/H

BYG23MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byg23m.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+14.68 грн
3600+12.89 грн
5400+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG23MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BYG23MHE3_A/H за ціною від 16.03 грн до 58.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BYG23MHE3_A/H BYG23MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg23m.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.66 грн
10+34.64 грн
100+22.39 грн
500+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23MHE3_A/H BYG23MHE3_A/H Vishay Semiconductors byg23m.pdf Rectifiers 1.5A,1000V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23MHE3_A/H byg23m.pdf
BYG23MHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.66 грн
10+34.64 грн
100+22.39 грн
500+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23MHE3_A/H byg23m.pdf
BYG23MHE3_A/H
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1.5A,1000V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.