Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYG23MHE3_A/I
BYG23MHE3_A/I

BYG23MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byg23m.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG23MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BYG23MHE3_A/I за ціною від 6.75 грн до 36.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYG23MHE3_A/I BYG23MHE3_A/I Vishay General Semiconductor byg23m.pdf Rectifiers 1.5A,1000V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.89 грн
15+22.24 грн
100+15.33 грн
500+11.60 грн
1000+8.79 грн
5000+8.02 грн
7500+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23MHE3_A/I BYG23MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg23m.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.39 грн
12+27.50 грн
100+16.49 грн
500+14.33 грн
1000+9.75 грн
2000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23MHE3_A/I byg23m.pdf
BYG23MHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.5A,1000V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.89 грн
15+22.24 грн
100+15.33 грн
500+11.60 грн
1000+8.79 грн
5000+8.02 грн
7500+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23MHE3_A/I byg23m.pdf
BYG23MHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.39 грн
12+27.50 грн
100+16.49 грн
500+14.33 грн
1000+9.75 грн
2000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.