Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYG23T-M3/TR
BYG23T-M3/TR

BYG23T-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byg23t.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+9.02 грн
3600+8.26 грн
5400+7.93 грн
9000+7.42 грн
12600+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG23T-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - BYG23T-M3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.3 kV, 1 A, Einfach, 1.9 V, 75 ns, 18 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 18A, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.9V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYG23, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.3kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BYG23T-M3/TR за ціною від 11.74 грн до 29.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BYG23T-M3/TR BYG23T-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg23t.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 15389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
15+20.52 грн
100+15.08 грн
500+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23T-M3/TR BYG23T-M3/TR Vishay General Semiconductor byg23t.pdf Rectifiers 1A 1300V High Volt Ultrafast
на замовлення 13704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23T-M3/TR BYG23T-M3/TR VISHAY byg23t.pdf Description: VISHAY - BYG23T-M3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.3 kV, 1 A, Einfach, 1.9 V, 75 ns, 18 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 18A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.9V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYG23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.3kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 129715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23T-M3/TR byg23t.pdf
BYG23T-M3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 15389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.45 грн
15+20.52 грн
100+15.08 грн
500+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23T-M3/TR byg23t.pdf
BYG23T-M3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1A 1300V High Volt Ultrafast
на замовлення 13704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23T-M3/TR byg23t.pdf
BYG23T-M3/TR
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BYG23T-M3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.3 kV, 1 A, Einfach, 1.9 V, 75 ns, 18 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 18A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.9V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYG23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.3kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 129715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.