Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYG24J-E3/TR
BYG24J-E3/TR

BYG24J-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byg24d.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG24J-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.

Інші пропозиції BYG24J-E3/TR за ціною від 15.26 грн до 36.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BYG24J-E3/TR BYG24J-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg24d.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
11+29.96 грн
100+20.82 грн
500+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG24J-E3/TR BYG24J-E3/TR Vishay General Semiconductor byg24d.pdf Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG24J-E3/TR byg24d.pdf
BYG24J-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.84 грн
11+29.96 грн
100+20.82 грн
500+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG24J-E3/TR byg24d.pdf
BYG24J-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.