Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYM10-200-E3/97
BYM10-200-E3/97

BYM10-200-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bym10-xxx.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.83 грн
10000+7.79 грн
15000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYM10-200-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

Інші пропозиції BYM10-200-E3/97 за ціною від 7.67 грн до 41.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYM10-200-E3/97 BYM10-200-E3/97 Виробник : Vishay General Semiconductor bym10-xxx.pdf Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
на замовлення 19820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.61 грн
13+28.15 грн
100+14.73 грн
500+13.66 грн
1000+8.59 грн
5000+8.13 грн
10000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 BYM10-200-E3/97 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 20114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.50 грн
13+24.86 грн
100+15.86 грн
500+11.23 грн
1000+10.05 грн
2000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 BYM10-200-E3/97 Виробник : Vishay bym10-xxx.pdf Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 BYM10-200-E3/97 Виробник : Vishay bym10-xxx.pdf Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.