BYM10-200-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 8.89 грн |
| 10000+ | 7.85 грн |
| 15000+ | 7.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM10-200-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції BYM10-200-E3/97 за ціною від 7.87 грн до 42.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYM10-200-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated |
на замовлення 19820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYM10-200-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 25014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYM10-200-E3/97 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BYM10-200-E3/97 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товару немає в наявності |