BYM11-600-E3/97
Код товару: 159925
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BYM11-600-E3/97 за ціною від 6.12 грн до 35.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYM11-600-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 250 ns |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BYM11-600-E3/97 | Vishay General Semiconductor |
Small Signal Switching Diodes 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated |
на замовлення 10728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BYM11-600-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BYM11-600-E3/97 | Vishay Semiconductors |
Small Signal Switching Diodes 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated |
на замовлення 9596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BYM11-600-E3/97 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 7.91 грн |
| BYM11-600-E3/97 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Small Signal Switching Diodes 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated
Small Signal Switching Diodes 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated
на замовлення 10728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 12.72 грн |
| 40+ | 8.09 грн |
| 100+ | 6.19 грн |
| 5000+ | 6.12 грн |
| BYM11-600-E3/97 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.06 грн |
| 14+ | 22.86 грн |
| 100+ | 13.70 грн |
| 500+ | 11.91 грн |
| 1000+ | 8.10 грн |
| 2000+ | 7.45 грн |
| BYM11-600-E3/97 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Small Signal Switching Diodes 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated
Small Signal Switching Diodes 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated
на замовлення 9596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.28 грн |
| 15+ | 22.32 грн |
| 100+ | 18.92 грн |