BYM300B170DN2HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 650V 40A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 14862.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM300B170DN2HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BYM300B170DN2HOSA1 за ціною від 15294.36 грн до 15294.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYM300B170DN2HOSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BYM300B170DN2HOSA1 - BYM300B - MEDIUM POWER 62MM tariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
BYM300B170DN2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |