BYM36E-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2.9A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2.9A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 32.09 грн |
| 5000+ | 29.50 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM36E-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2.9A SOD64, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-64, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 2.9A, Supplier Device Package: SOD-64, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції BYM36E-TAP за ціною від 34.29 грн до 304.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BYM36E-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2.9A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2.9A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BYM36E-TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ifsm: 65A; SOD64; Ammo Pack; 150ns Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1kV Load current: 2.9A Semiconductor structure: single diode Case: SOD64 Mounting: THT Max. forward voltage: 1.28V Max. forward impulse current: 65A Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Reverse recovery time: 150ns Leakage current: 0.1mA |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BYM36E-TAP | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1000 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM |
на замовлення 14950 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| BYM36E-TAP |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2.9A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2.9A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2.9A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2.9A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.87 грн |
| 10+ | 61.51 грн |
| 100+ | 51.18 грн |
| 500+ | 37.83 грн |
| 1000+ | 34.29 грн |
| BYM36E-TAP |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ifsm: 65A; SOD64; Ammo Pack; 150ns
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2.9A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD64
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 65A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 150ns
Leakage current: 0.1mA
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ifsm: 65A; SOD64; Ammo Pack; 150ns
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2.9A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD64
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 65A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 150ns
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 92.35 грн |
| 10+ | 58.58 грн |
| 100+ | 46.44 грн |
| 500+ | 38.88 грн |
| 1000+ | 38.63 грн |
| BYM36E-TAP |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1000 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM
Rectifiers 1000 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 304.58 грн |
| 10+ | 151.41 грн |
| 100+ | 119.63 грн |
| 500+ | 97.81 грн |
| 2500+ | 92.54 грн |