
BYM36E-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2.9A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2.9A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 32.18 грн |
5000+ | 29.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM36E-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ifsm: 65A; SOD64; Ufmax: 1.28V, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 2.9A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated, Kind of package: bulk; replacement packaging; scraps of tape, Max. forward impulse current: 65A, Case: SOD64, Max. forward voltage: 1.28V, Leakage current: 0.1mA, Reverse recovery time: 150ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BYM36E-TAP за ціною від 29.57 грн до 89.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYM36E-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ifsm: 65A; SOD64; Ufmax: 1.28V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 2.9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: bulk; replacement packaging; scraps of tape Max. forward impulse current: 65A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.28V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 150ns |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYM36E-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ifsm: 65A; SOD64; Ufmax: 1.28V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 2.9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: bulk; replacement packaging; scraps of tape Max. forward impulse current: 65A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.28V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 156 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYM36E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYM36E-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2.9A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYM36E-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |