BYM36E-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1000V 2.9A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2.9A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 33.08 грн |
| 5000+ | 30.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM36E-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ammo Pack; Ifsm: 65A; SOD64; 150ns, Type of diode: rectifying, Semiconductor structure: single diode, Mounting: THT, Case: SOD64, Reverse recovery time: 150ns, Leakage current: 0.1mA, Load current: 2.9A, Max. forward voltage: 1.28V, Max. forward impulse current: 65A, Max. off-state voltage: 1kV, Kind of package: Ammo Pack, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BYM36E-TAP за ціною від 30.40 грн до 91.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYM36E-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ammo Pack; Ifsm: 65A; SOD64; 150ns Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Case: SOD64 Reverse recovery time: 150ns Leakage current: 0.1mA Load current: 2.9A Max. forward voltage: 1.28V Max. forward impulse current: 65A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated |
на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BYM36E-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ammo Pack; Ifsm: 65A; SOD64; 150ns Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Case: SOD64 Reverse recovery time: 150ns Leakage current: 0.1mA Load current: 2.9A Max. forward voltage: 1.28V Max. forward impulse current: 65A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2386 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BYM36E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1000 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM |
на замовлення 773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BYM36E-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2.9A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2.9A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BYM36E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 2.9A 2-Pin SOD-64 Ammo |
товару немає в наявності |