
BYQ28E-200/H,127 NXP Semiconductors
на замовлення 313000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
995+ | 30.84 грн |
1078+ | 28.43 грн |
10000+ | 25.35 грн |
100000+ | 20.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYQ28E-200/H,127 NXP Semiconductors
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції BYQ28E-200/H,127 за ціною від 19.75 грн до 73.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYQ28E-200/H,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYQ28E-200/H,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
на замовлення 904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYQ28E-200/H,127 | Виробник : Ween |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BYQ28E-200/H,127 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BYQ28E-200/H,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 5Ax2; tube; Ifsm: 50A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 5A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 50A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.8V Max. load current: 10A Heatsink thickness: 1.25...1.4mm кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BYQ28E-200/H,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 5Ax2; tube; Ifsm: 50A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 5A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 50A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.8V Max. load current: 10A Heatsink thickness: 1.25...1.4mm |
товару немає в наявності |