Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > BYR29X-800PQ
BYR29X-800PQ

BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors

BYR29X-800P-1115377.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Small Signal Switching Diodes BYR29X-800P/TO-220F/STANDARD M
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220FP, Current - Average Rectified (Io): 8A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.

Інші пропозиції BYR29X-800PQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BYR29X-800PQ WeEn byr29x-800p.pdf 8A, 800V, TO-220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors byr29x-800p.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29X-800PQ BYR29X-800PQ NXP Semiconductors 4byr29x-800p.pdf Diode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29X-800PQ byr29x-800p.pdf
Виробник: WeEn
8A, 800V, TO-220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29X-800PQ byr29x-800p.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29X-800PQ 4byr29x-800p.pdf
BYR29X-800PQ
Виробник: NXP Semiconductors
Diode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.