BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 69.44 грн |
| 10+ | 58.81 грн |
| 100+ | 35.44 грн |
| 500+ | 29.64 грн |
| 1000+ | 25.15 грн |
| 2000+ | 22.40 грн |
| 5000+ | 22.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220FP, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції BYR29X-800PQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BYR29X-800PQ | Виробник : NXP Semiconductors |
 Diode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220F |
товару немає в наявності |
|
| BYR29X-800PQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |