Технічний опис BYR5D-1200PJ Ween
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції BYR5D-1200PJ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
BYR5D-1200PJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
BYR5D-1200PJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BYR5D-1200PJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |