Продукція > ST > BYT30PI1000

BYT30PI1000 ST


Виробник: ST

на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYT30PI1000 ST

Description: DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I, Packaging: Bulk, Package / Case: DOP3I-2 Insulated (Straight Leads), Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 165 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: DOP3I, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції BYT30PI1000 за ціною від 105.00 грн до 105.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BYT30PI-1000
Код товару: 56264
Додати до обраних Обраний товар
ST en.CD00000786.pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DOP3I
Зворотна напруга Vrr, В: 1000 В
Середній струм Iav, А: 70 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 165 ns
товару немає в наявності
1+105.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BYT30PI-1000 BYT30PI-1000 STMicroelectronics en.CD00000786.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I
Packaging: Bulk
Package / Case: DOP3I-2 Insulated (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DOP3I
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYT30PI-1000 STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000786.pdf Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYT30PI-1000
Код товару: 56264
Додати до обраних Обраний товар
en.CD00000786.pdf
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DOP3I
Зворотна напруга Vrr, В: 1000 В
Середній струм Iav, А: 70 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 165 ns
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+105.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BYT30PI-1000 en.CD00000786.pdf
BYT30PI-1000
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I
Packaging: Bulk
Package / Case: DOP3I-2 Insulated (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DOP3I
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYT30PI-1000 stmicroelectronics_cd00000786.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.