BYT52M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.4A SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYT52M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.4A SOD57, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: SOD-57, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Technology: Avalanche, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: SOD-57, Axial, Packaging: Tape & Box (TB).
Інші пропозиції BYT52M-TAP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BYT52M-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.4A SOD57 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOD-57 Current - Average Rectified (Io): 1.4A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: SOD-57, Axial Packaging: Tape & Box (TB) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BYT52M-TAP | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1.4 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BYT52M-TAP |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.4A SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.4A SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BYT52M-TAP |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1.4 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM
Rectifiers 1.4 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику
од. на суму грн.