BYT54M-TAP VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1.25A; Ifsm: 30A; SOD57; Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.25A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD57
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 100ns
Leakage current: 0.15mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 59.81 грн |
| 11+ | 40.42 грн |
| 50+ | 33.24 грн |
| 100+ | 30.68 грн |
| 250+ | 27.43 грн |
| 500+ | 25.38 грн |
| 1000+ | 23.33 грн |
| 2500+ | 22.47 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYT54M-TAP VISHAY
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.25A SOD57, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.25A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції BYT54M-TAP за ціною від 31.05 грн до 170.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BYT54M-TAP | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1000 Volt 0.75 Amp 30 Amp IFSM |
на замовлення 13999 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BYT54M-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.25A SOD57Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.25A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 3531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BYT54M-TAP |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1000 Volt 0.75 Amp 30 Amp IFSM
Rectifiers 1000 Volt 0.75 Amp 30 Amp IFSM
на замовлення 13999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.02 грн |
| 10+ | 58.78 грн |
| 100+ | 39.22 грн |
| 500+ | 31.05 грн |
| BYT54M-TAP |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.25A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.25A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.25A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.25A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 170.91 грн |
| 10+ | 105.67 грн |
| 50+ | 80.07 грн |
| 100+ | 67.41 грн |
| 500+ | 53.84 грн |



