
BYT54M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.25A SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.25A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 17.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYT54M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1.25A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 1.25A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated, Kind of package: Ammo Pack, Max. forward impulse current: 30A, Case: SOD57, Max. forward voltage: 1.5V, Reverse recovery time: 100ns, Leakage current: 0.15mA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BYT54M-TAP за ціною від 15.57 грн до 65.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYT54M-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1.25A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.25A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.5V Reverse recovery time: 100ns Leakage current: 0.15mA |
на замовлення 2354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYT54M-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1.25A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.25A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.5V Reverse recovery time: 100ns Leakage current: 0.15mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2354 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYT54M-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.25A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 5676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYT54M-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 13999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYT54M-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |