BYT56J-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYT56J-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 80A; SOD64; 100ns, Semiconductor structure: single diode, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 3A, Case: SOD64, Max. forward voltage: 1.4V, Max. forward impulse current: 80A, Leakage current: 0.15mA, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated, Kind of package: Ammo Pack, Mounting: THT, Type of diode: rectifying, Reverse recovery time: 100ns.
Інші пропозиції BYT56J-TAP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BYT56J-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
 Rectifiers 600 Volt 3.0 Amp 80 Amp IFSM |
товару немає в наявності |
|
 |
BYT56J-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 80A; SOD64; 100ns Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 80A Leakage current: 0.15mA Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Mounting: THT Type of diode: rectifying Reverse recovery time: 100ns |
товару немає в наявності |