Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYV16-TAP
BYV16-TAP

BYV16-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byv12.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYV16-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1.5A; Ammo Pack; Ifsm: 40A; SOD57; 300ns, Mounting: THT, Case: SOD57, Kind of package: Ammo Pack, Reverse recovery time: 300ns, Semiconductor structure: single diode, Type of diode: rectifying, Leakage current: 0.15mA, Load current: 1.5A, Max. forward voltage: 1.5V, Max. load current: 9A, Max. forward impulse current: 40A, Max. off-state voltage: 1kV, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated.

Інші пропозиції BYV16-TAP за ціною від 15.39 грн до 64.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYV16-TAP BYV16-TAP Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv12.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.26 грн
11+30.32 грн
100+21.00 грн
500+16.46 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BYV16-TAP BYV16-TAP Виробник : Vishay Semiconductors byv12.pdf Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM
на замовлення 22308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.97 грн
10+42.14 грн
100+29.18 грн
500+22.55 грн
1000+18.67 грн
2500+18.59 грн
5000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BYV16-TAP BYV16-TAP Виробник : Vishay byv12.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SOD-57 Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV16-TAP BYV16-TAP Виробник : Vishay byv12.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SOD-57 Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV16-TAP Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD2DB76834D40D5&compId=byv12-16.pdf?ci_sign=c3d4ea233c0af8090a39a00a25dc27cbdac50a5a Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1.5A; Ammo Pack; Ifsm: 40A; SOD57; 300ns
Mounting: THT
Case: SOD57
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Leakage current: 0.15mA
Load current: 1.5A
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 9A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 1kV
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.