BYV25D-600,118 WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV25D-600,118 WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV25D-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 66 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 66A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: 60ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції BYV25D-600,118 за ціною від 25.12 грн до 66.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BYV25D-600,118 | NXP USA Inc. |
Description: DIODE RECT 600V 5A DPAKPackaging: Bulk |
на замовлення 76500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductors |
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAKOperating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: DPAK Current - Average Rectified (Io): 5A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active |
на замовлення 7958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductors |
Rectifiers Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 5A |
на замовлення 2130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BYV25D-600,118 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV25D-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 66 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 66A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BYV25D-600,118 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV25D-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 66 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 66A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BYV25D-600,118 | NXP Semiconductors |
Rectifier Diode Switching 600V 5A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 72500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| BYV25D-600,118 | NXP Semiconductors |
Rectifier Diode Switching 600V 5A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BYV25D-600,118 |
![]() |
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 859+ | 25.12 грн |
| BYV25D-600,118 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
на замовлення 7958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.20 грн |
| 10+ | 54.85 грн |
| 100+ | 38.01 грн |
| 500+ | 29.81 грн |
| 1000+ | 25.37 грн |
| BYV25D-600,118 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Rectifiers Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 5A
Rectifiers Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 5A
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BYV25D-600,118 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV25D-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 66 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 66A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 60ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV25D-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 66 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 66A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 60ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BYV25D-600,118 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV25D-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 66 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 66A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 60ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV25D-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 66 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 66A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 60ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BYV25D-600,118 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Rectifier Diode Switching 600V 5A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Rectifier Diode Switching 600V 5A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 814+ | 43.18 грн |
| 1000+ | 39.81 грн |
| 10000+ | 35.51 грн |
| BYV25D-600,118 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Rectifier Diode Switching 600V 5A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Rectifier Diode Switching 600V 5A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 814+ | 43.18 грн |
| 1000+ | 39.81 грн |





