
BYV25D-600,118 WeEn Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 22.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV25D-600,118 WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV25D-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 66 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 66A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: 60ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції BYV25D-600,118 за ціною від 20.67 грн до 96.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYV25D-600,118 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Bulk |
на замовлення 76500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYV25D-600,118 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 66A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYV25D-600,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V |
на замовлення 7958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYV25D-600,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYV25D-600,118 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 66A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYV25D-600,118 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
BYV25D-600,118 | Виробник : Nexperia |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
BYV25D-600,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 50ns; DPAK; Ufmax: 1.11V; Ifsm: 66A Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 66A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Case: DPAK Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.11V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BYV25D-600,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 50ns; DPAK; Ufmax: 1.11V; Ifsm: 66A Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 66A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Case: DPAK Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.11V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode |
товару немає в наявності |