BYV26B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 14.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV26B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 0.4kV, Load current: 1A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated, Kind of package: Ammo Pack, Max. forward impulse current: 30A, Case: SOD57, Max. forward voltage: 1.3V, Leakage current: 0.1mA, Reverse recovery time: 30ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BYV26B-TAP за ціною від 11.81 грн до 62.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYV26B-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 9890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BYV26B-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 30ns |
на замовлення 9890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BYV26B-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 30ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BYV26B-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BYV26B-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt 30 Amp IFSM |
на замовлення 18673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BYV26B-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BYV26B-TAP | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 400V 1A 30ns 2-Pin SOD-57 Ammo |
товару немає в наявності |