![BYV26E-TAP BYV26E-TAP](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/6/55/57/644/vsh_/manual/85599-pt-medium.jpg)
на замовлення 34031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 11.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV26E-TAP Vishay
Description: VISHAY - BYV26E-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-57, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 2.5V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYV26, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BYV26E-TAP за ціною від 14.21 грн до 124.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 3707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 40522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 27364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2255 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP Код товару: 26386 |
Виробник : NXP |
![]() Корпус: SOD-57 Vrr, V: 1000 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BYV26E-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 75ns |
товар відсутній |