на замовлення 22931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 12.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV26E-TAP Vishay
Description: VISHAY - BYV26E-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-57, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 2.5V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYV26, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BYV26E-TAP за ціною від 13.28 грн до 68.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD 57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 17920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BYV26E-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 75ns |
на замовлення 5404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD 57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 4385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5404 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM |
на замовлення 23957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BYV26E-TAP | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYV26E-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 30913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductor |
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 1 000; Io, А = 1; Uf (max), В = 2,5; If, A = 1; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1000; trr, нс = 75; Тексп, °C = -55...+175; SOD-57 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
Ultrafast 1.0A 1000V 75ns SOD-57 |
на замовлення 2255 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
BYV26E-TAP Код товару: 26386
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : NXP |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 1000 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
товару немає в наявності |