BYV27-200-TAP VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - BYV27-200-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.07V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYV27
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 36.65 грн |
| 23+ | 35.05 грн |
| 100+ | 33.45 грн |
| 500+ | 29.65 грн |
| 1000+ | 26.00 грн |
| 5000+ | 24.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV27-200-TAP VISHAY
Description: VISHAY - BYV27-200-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-57, Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.07V, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYV27, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BYV27-200-TAP за ціною від 16.10 грн до 190.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BYV27-200-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYV27-200-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYV27-200-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.35V Reverse recovery time: 25ns Leakage current: 0.15mA Kind of package: Ammo Pack Max. load current: 15A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching |
на замовлення 17047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYV27-200-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 17047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYV27-200-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.35V Reverse recovery time: 25ns Leakage current: 0.15mA Kind of package: Ammo Pack Max. load current: 15A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17047 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BYV27-200-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt 50 Amp IFSM |
на замовлення 10452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BYV27-200 -TAP | Виробник : Vishay |
2A; 200V; ultra fast <25ns; packaging: ammo; BYV27-200 diode rectifying DP BYV27-200 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BYV27-200-TAP Код товару: 118564
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкіКорпус: SOD-57 Vrr, V: 200 V Iav, A: 2 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 25 ns |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
BYV27-200-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo |
товару немає в наявності |



