BYV30JT-600PQ WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE GEN PURP 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.56 грн |
| 10+ | 117.74 грн |
| 480+ | 79.28 грн |
| 960+ | 63.13 грн |
| 2400+ | 59.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV30JT-600PQ WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-3P, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції BYV30JT-600PQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BYV30JT-600PQ | Виробник : Ween |
Ultrafast recovery diode |
товару немає в наявності |
||
| BYV30JT-600PQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
BYV30JT-600PQ THT universal diodes |
товару немає в наявності |
||
 |
BYV30JT-600PQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Rectifiers BYV30JT-600PQ/TO3PF/STANDARD M |
товару немає в наявності |