BYV30JT-600PQ WeEn Semiconductors


byv30jt-600p.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+144.79 грн
10+ 124.93 грн
100+ 100.45 грн
500+ 77.44 грн
1000+ 64.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYV30JT-600PQ WeEn Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-3P, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

Інші пропозиції BYV30JT-600PQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BYV30JT-600PQ Виробник : Ween 17345496153360758byv30jt-600p.pdf Ultrafast recovery diode
товар відсутній
BYV30JT-600PQ BYV30JT-600PQ Виробник : WeEn Semiconductors byv30jt-600p.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 170A; SOT1293,TO3PF
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT1293; TO3PF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 170A
Max. forward voltage: 0.96V
кількість в упаковці: 2400 шт
товар відсутній
BYV30JT-600PQ BYV30JT-600PQ Виробник : WeEn Semiconductors BYV30JT-600P-1382444.pdf Rectifiers BYV30JT-600PQ/TO3PF/STANDARD M
товар відсутній
BYV30JT-600PQ BYV30JT-600PQ Виробник : WeEn Semiconductors byv30jt-600p.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 170A; SOT1293,TO3PF
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT1293; TO3PF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 170A
Max. forward voltage: 0.96V
товар відсутній