BYV30JT-600PQ

BYV30JT-600PQ WeEn Semiconductors


byv30jt-600p.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.49 грн
10+115.28 грн
480+77.63 грн
960+61.81 грн
2400+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYV30JT-600PQ WeEn Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-3P, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

Інші пропозиції BYV30JT-600PQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYV30JT-600PQ Виробник : Ween 17345496153360758byv30jt-600p.pdf Ultrafast recovery diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30JT-600PQ Виробник : WeEn Semiconductors byv30jt-600p.pdf BYV30JT-600PQ THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30JT-600PQ BYV30JT-600PQ Виробник : WeEn Semiconductors BYV30JT-600P-1382444.pdf Rectifiers BYV30JT-600PQ/TO3PF/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.